Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7

Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7


Рис. 3.12. Устройство трансформатора (а) и условные обозначения трансформатора (б)

и автотрансформатора (в)


В выходных каскадах строчной развертки телевизоров выпуска прошедших лет применяли строчные трансформаторы ТВС (рис. 3.13). Сердечник 4, скрепленный обоймой 2, выполнен из феррита: это обосновано довольно Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 большой частотой строчной развертки (15625 Гц). На сердечнике располагаются основная 1 и высоковольтная 3 обмотки. В конкретной близости от ТВС находится высоковольтный кенотрон 5. В более поздних моделях телевизоров заместо кенотронов использовались умножители напряжения. В Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 ТВС таких телевизоров высоковольтная обмотка отсутствовала.





Рис. 3.13. Устройство выходного строчного трансформатора ТВС


Умножители напряжения созданы для выпрямления и умножения импульсного напряжения оборотного хода строчной развертки с целью получения анодного напряжения питания кинескопа. Некие Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 типы умножителей употребляются дополнительно для сотворения напряжения питания фокусирующего электрода кинескопа, зачем в их конструкции предусмотрен особый вывод «F». Умножители напряжения делают по схеме удвоения либо утроения напряжения.

Условное обозначение умножителей Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 состоит из 5 частей:

- 1-ый элемент – буковкы «УН» – умножитель напряжения;

- 2-ой элемент – число из одной либо 2-ух цифр – подводимое напряжение, кВ;

- 3-ий элемент – число из 2-ух цифр – выходное напряжение, кВ;

- 4-ый элемент – число из 2-ух Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 либо 3-х цифр – ток нагрузки, мА;

- 5-ый элемент – буковка – вариант выполнения (может отсутствовать).

Главные технические свойства унифицированных умножителей приведены в табл. 3.13.


Таблица 3.13. Главные технические свойства умножителей напряжения



Умножитель


Пиковое подводимое напряжение Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7, кВ



Номинальный ток нагрузки, мА



Номинальное выходное напряжение, кВ


Ток вывода фокусирующего напряжения, мкА



Вид схемы


Масса, менее, г


УН6/12-0,15

6

0,15

12



Удвоение

120

УН7,5/20-0,2

7,5

0,2

20



Утроение

450

УН9/18-0,3

9

0,3

18



Удвоение

350

УН8,5/25-1,2А

8,5

1,2

25

150

Утроение

320

УН9/27-1,3

9

1,3

27

150

Утроение

170


Вид (а), габаритные и присоединительные размеры (б) и электронная схема (в) более всераспространенных умножителей УН Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 78,5/25-1,2А и УН9/27-1,3 приведены на рис. 3.14 и 3.15 соответственно. На рис. 3.14 штриховой линией обозначена охранная зона.





Рис. 3.14. Умножитель напряжения УН8,5/25-1,2А: вид (а), габаритные и присоединительные размеры (б) и электронная схема (в Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7)





Рис. 3.15. Умножитель напряжения УН9/27-1,3: вид (а), габаритные и присоединительные размеры (б) и электронная схема (в)


При установке умножителей в телеки нужно учесть, что в ней не должны находиться токоведущие элементы и железные детали, не считая Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 проводов, которые подходят к выводам умножителя. Выводы умножителя не должны касаться друг дружку, также частей и проводов телека. Не допускается намотка вывода «+» вокруг умножителя.

В современных телеках используются диодно-каскадные Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 выходные строчные трансформаторы ТДКС (по другому их еще именуют «сплит-трансформаторами» либо FBT – Fly Back Transformer – трансформатор оборотного хода), в каких умножение напряжения производится применением секционированной высоковольтной обмотки с каскадным включением выпрямительных диодов (рис Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7. 3.16). При таком построении умножителя выходное напряжение равно сумме напряжений отдельных секций.





Рис. 3.16. Трансформатор диодно-каскадный строчный ТДКС


ТДКС обеспечивает формирование последующих токов и напряжений: отклоняющего тока в строчных катушках ОС Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7; напряжений, нужных для работы кинескопа (анодного, фокусирующего, ускоряющего, напряжения питания подогревателя); ряда вторичных напряжений, питающих выходные видеоусилители, кадровую развертку и т.п.; импульсы напряжения для устойчивой работы устройств, ФАПЧ, OSD и др Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7.

Большая часть ТДКС имеют интегрированные регуляторы фокусирующего (Фокус) и ускоряющего (SCREEN) напряжений.

В кинескопах телевизоров для управления электрическим лучом употребляют отклоняющие системы (ОС) (рис. 3.17), состоящие из каркаса 1 и 2-ух пар катушек 2 специальной формы Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 (одна пара КК1, КК2 для кадровой развертки, другая пара КС1, КС2 – для строчной.





Рис. 3.17. Устройство отклоняющей системы ОС:

1 – каркас; 2 – седловидные катушки


Отклоняющие системы характеризуются активным сопротивлением обмоток кадровых и строчных катушек, индуктивностями этих обмоток Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7, величинами их рабочих токов.


3.5. Колебательные контуры, фильтры, полосы задержки


Колебательные контуры (рис. 3.18), представляющие из себя поочередно либо параллельно соединенные катушки индуктивности и конденсаторы, являются основой радиоприемников, телевизоров и других аппаратов. Не считая параллельных и Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 поочередных одиночных контуров (рис. 3.18, а, б) обширно используют связанные контуры (рис. 3.18, в), расположенные близко друг к другу и имеющие общую электрическую связь.





Рис. 3.18. Колебательные контуры (а) и их условные Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 обозначения (б, в):

1 – выводы катушек; 2 – конденсаторы; 3, 6 – катушки; 4 – подстроечные сердечники; 5 – каркас


Колебательные контуры владеют свойством частотного резонанса, т.е. реагируют на частоту подводимых к ним сигналов. Это свойство колебательного контура именуется частотной избирательностью (селективностью).

Полосовые Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 и режекторные фильтры служат для формирования определенной частотной свойства. Их можно выполнить на колебательных контурах (к примеру, фильтры сосредоточенной селекции – ФСС). Обширное распространение в радиоприемниках получили пьезокерамические фильтры. Зависимо от предназначения Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 они имеют определенные форму и конструкцию из пьезокерамических материалов с соответственной амплитудно-частотной чертой. Внешний облик пьезокерамических фильтров и их условные обозначения на принципных схемах показаны на рис. 3.19.





Рис. 3.19. Пьезокерамические фильтры


Технические данные современных забугорных пьезокерамических Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 фильтров серии LTE для телевизоров (рис. 3.19, в) и маленьких глиняних фильтров L10.7МА5 для приемников FM-вещания (рис. 3.19, г) приведены в табл. 3.14 и 3.15 соответственно.


Таблица 3.14. Маленькие пьезокерамические фильтры серии Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 LTE для телевизоров



Тип


Ширина полосы пропускания по уровню – 3 дБ, кГц, более



Ширина полосы пропускания по уровню – 20 дБ, кГц, более



Вносимое ослабление, дБ, менее


Избирательность по побочному каналу, дБ, более



Импеданс, Ом

LTE4,5МБ

±60

530

6

20

1000

LTE5,5МБ

±75

550

6

25

600

LTE6,0МБ

±80

600

6

25

470

LTE6,5МБ

±80

630

6

25

470



Таблица 3.15. Маленький пьезокерамический фильтр для приемников Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 FM-вещания



Тип


Ширина полосы пропускания по уровню – 3 дБ, Гц, более



Ширина полосы пропускания по уровню – 20 дБ, кГц, более



Вносимое ослабление, дБ, менее



Избирательность по побочному каналу, дБ, более


L10.7 МА5

280 ± 50

650

6

30


В современных телеках употребляют полосовые Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 фильтры на так именуемых поверхностно-акустических волнах (ПАВ).

Таковой фильтр (рис. 3.20) состоит из узкого пьезоэлектрического кристалла 3 прямоугольной формы, на поверхность которого способом вакуумного напыления нанесены две системы электродов 1 и 2, образующих входной и выходной преобразователи Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7. В итоге деяния сигнала на входной преобразователь на поверхности кристалла появляются акустические волны, которые распространяются по направлению к выходному преобразователю. Число и конфигурация электродов преобразователей определяет форму частотной свойства Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 фильтра.




Рис. 3.20. Устройство фильтра ПАВ


В цветных телеках употребляют полосы задержки, созданные для задержки электронных сигналов на определенное время. К примеру, линия задержки на 0,47 (либо 0,33) мкс служит для задержки сигнала яркости относительно сигнала цветности для того Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7, чтоб оба сигнала приходили на кинескоп сразу. В канале цветности телека используют ультразвуковую линию задержки на 64 мкс (продолжительность одной строчки телевизионного изображения).




Рис. 3.21. Ультразвуковая линия задержки (а) и ее условное обозначение Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 (б)


В ультразвуковой полосы задержки, к примеру, типа УЛЗ 64-5 (рис. 3.21), входной сигнал высочайшей частоты поступает на входной пьезопреобразователь 1 и преобразуется в ультразвук, который распространяется снутри звукопровода 2, три раза отражаясь от его стен Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7. За время хода ультразвука происходит задержка сигнала. Выходной преобразователь вновь превращает ультразвуковой сигнал в частотный. Отверстие 3 служит для улучшения характеристик полосы задержки.


^ 3.6. Полупроводниковые приборы


Класс полупроводниковых устройств многообразен и содержит в себе полупроводниковые диоды Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7, стабилитроны, тиристоры, транзисторы, варикапы, варисторы, терморезисторы и другие приборы.

Полупроводниковый диодик (рис. 3.22, а) – это прибор, содержащий один p-n переход и электронные выводы от p- и n-слоев. Вольтамперная Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 черта диодика представляет собой вольтамперную характеристику p-n перехода.





Рис. 3.22. Полупроводниковые приборы и их условные обозначения


В текущее время употребляются два главных типа диодов – точечный и плоскостной.

Точечные диоды благодаря малой площади p Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7-n перехода имеют очень малую емкость и потому обширно используются в ВЧ схемах детектирования и преобразования сигналов, также в разных измерительных и логических схемах.

Главные характеристики точечных диодов: прямой ток, соответственный обозначенному напряжению (обычно Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 1…2 В); допустимая амплитуда оборотного напряжения; малое пробивное напряжение; оборотный ток, соответственный обозначенному оборотному напряжению; проходная емкость.

Плоскостные диоды употребляются приемущественно в выпрямителях, также в разных схемах, работающих в спектре НЧ Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7. Главные характеристики этих диодов: очень допустимое значение оборотного напряжения; оборотный ток при очень допустимом оборотном напряжении; среднее значение выпрямленного тока; падение напряжения при прохождении прямого тока.

Полупроводниковые диоды могут быть низкочастотными, высокочастотными и импульсными Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7. Низкочастотные диоды употребляют в выпрямителях переменного тока промышленных частот (50 либо 400 Гц), высокочастотные – для детектирования модулированных высокочастотных колебаний в радиоприемниках и телеках. Импульсные диоды употребляют в большинстве случаев в главных (переключающих) схемах для Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 коммутации в электронных цепях, где основными требованиями являются малые продолжительности переходных процессов.

Конструктивно диоды могут производиться в стеклянном, железном либо пластмассовом корпусе. Индустрия выпускает выпрямительные мосты и выпрямительные блоки (рис. 3.22, б). Для Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 стабилизации выпрямленных напряжений, также для обеспечения данного опорного напряжения употребляют стабилитроны (VD1 на рис. 3.22, в).

Варикапы и варикапные матрицы (VD2 на рис. 3.22, в) – полупроводниковые диоды, изменяющие свою емкость под воздействием приложенного Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 к ним неизменного напряжения, используют для электрической опции тюнеров.

На свойстве полупроводников изменять в огромных границах сопротивление при изменении температуры основан механизм работы терморезисторов (рис. 3.22, г). Основной материал для их производства Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 – смесь окислов марганца и кобальта либо меди, употребляются также и другие окислы.

Сопротивление терморезисторов при изменении температуры от –50 до +100°С меняется на несколько порядков. Фактически терморезисторы употребляют в схемах, где изменение температуры обосновано Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 конфигурацией силы тока, что позволяет производить автоматическое регулирование.

Нелинейные сопротивления, значение которых одномоментно меняется прямо за конфигурацией протекающего по ним тока, получили заглавие нелинейных полупроводниковых сопротивлений, либо варисторов (рис. 3.22, д). Варисторы изготовляют из Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 упрессованного порошка карбида кремния. При повышении напряжения под действием электронного поля контактное сопротивление меж зернами карбида кремния миниатюризируется, что приводит к уменьшению сопротивления прибора. При огромных токах наблюдается дополнительное уменьшение сопротивления за Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 счет разогрева.

Более обширно для усиления, детектирования, генерирования, преобразования электронных сигналов, также для ограничения размаха сигналов в схемах переключения употребляются транзисторы.

Биполярный транзистор (его обычно именуют просто транзистором, опуская слово «биполярный Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7») представляет собой полупроводниковый прибор с 2-мя поочередно включенными p-n переходами. Он состоит из 3-х областей с чередующимися типами проводимостей (рис. 3.22, е).

Одна из последних областей транзистора именуется эмиттером (э), средняя область – базой (б Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7) и 2-ая последняя область – коллектором (к), p-n переход со стороны эмиттера именуют эмиттерным, а со стороны коллектора – коллекторным. Эмиттер, база и коллектор отличаются не только лишь нравом проводимости, да и Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 концентрацией носителей. В базе она на несколько порядков меньше, чем в эмиттере, а в коллекторе – практически такая же, как в эмиттере.

Зависимо от типа проводимости средней и последних областей различают транзисторы Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 p-n-p и n-p-n (рис. 3.22, ж).

Все большее распространение получают транзисторы, в каких управление потоком носителей зарядов 1-го знака (только электронов либо только дырок) по полупроводниковому материалу (каналу) осуществляется при Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 помощи электронного поля. Такие транзисторы именуют полевыми.

По принципу деяния полевые транзисторы подразделяют на транзисторы с управляющим p-n переходом и транзисторы с изолированным затвором. Полевые транзисторы (рис. 3.22, з), так же как и Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 биполярные, имеют три вывода, именуемые затвор (з), исток (и) и сток (с).

Принципиальные плюсы полевых транзисторов – малый уровень шумов, также их обратимость, т.е. возможность обоюдной подмены истока и стока. Максимально допустимая Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 рабочая частота полевых транзисторов добивается нескольких сотен мгц.

Современные массивные полевые транзисторы выпускаются как n-канальные, так и p-канальные, но 1-ые употребляются почаще, потому что имеют более широкий Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 спектр токов и напряжений. На рис. 3.22, и, к в качестве примера показаны такие транзисторы.

К полупроводниковым устройствам с четырехслойной структурой относятся четырехслойные диоды – диод-тиристоры, либо динисторы, и четырехслойные триоды – триод-тиристоры, либо Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 тринисторы (тиристоры).

Динистор (VS1 на рис. 3.22, л, м) состоит из 3-х поочередных p-n переходов. Последние области являются эмиттерами, а средние – базами; эмиттер p1 именуется анодом, а эмиттер n2 – катодом.

При Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 подведении к прибору напряжения обозначенной на рисунке полярности последние переходы будут включены в прямом, а средний – в оборотном направлениях. Если подведенное напряжение меньше определенного значения, то сопротивление среднего перехода огромное и на нем Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 падает фактически все подводимое напряжение. Значение тока I, проходящего через прибор, определяется оборотным током среднего перехода при данном напряжении.

Когда наружное напряжение добивается определенного значения, происходит пробой среднего перехода, его сопротивление скачком миниатюризируется, по Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 этому резко возрастает ток I, проходящий через прибор. Значение тока в данном случае определяется сопротивлением, включенным во внешнюю цепь прибора, потому что сопротивление самого прибора не превосходит 1 Ом. Сразу напряжение на приборе Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 UАК миниатюризируется до 10-х толикой – единиц вольт.

В тринисторе (VS2 на рис. 3.22, л, н) имеется дополнительный вывод от одной из баз, которая в этом случае является управляющим электродом (УЭ Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7). При наличии в цепи эмиттер-база тока пропускного направления лавинный процесс появляется при наименьшем, чем в динисторе, напряжении меж последними электродами. Выключаются тринисторы, как и динисторы, размыканием анодной цепи. Индустрией выпускаются также триод-тиристоры Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7, которые запираются подачей оборотного напряжения на управляющий электрод («запираемые» тиристоры).

Двухэлектродные тиристоры употребляются приемущественно в массивных выпрямителях. Трехэлектродные тиристоры находят обширное применение в разных переключающихся схемах, также в управляемых выпрямителях.

Главные характеристики диодных Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 тиристоров: напряжение включения, (напряжение, при котором прибор раскрывается); очень допустимый ток в стационарном и в импульсном режимах; очень допустимое оборотное напряжение; удерживающий ток (малый ток, при котором прибор остается открытым); время Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 включения и выключения.

В неких переключающих схемах употребляются симисторы – симметричные тиристоры, имеющие в открытом состоянии очень маленькое сопротивление при хоть какой полярности напряжения меж анодом и катодом.

Довольно всераспространены разные Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 фотоэлектронные приборы, т.е. приборы, основанные на законах фотоэлектрического эффекта.

Фоторезистор (рис. 3.22, о) состоит из изолирующей пластинки 1, на которой нанесены слой проводника 2 и выводы 3. Если световой поток отсутствует, то через фоторезистор протекает маленькой ток, именуемый Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 темновым. При попадании на полупроводник светового потока Ф сопротивление фоторезистора резко миниатюризируется и ток в его цепи увеличивается.

В качестве полупроводящего покрытия употребляются сернистый свинец, сернистый кадмий, также селенит Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 кадмия. Характеристики фоторезисторов не зависят от полярности приложенного напряжения, потому они могут работать и в цепях переменного тока. Главные недочеты фоторезисторов – большая инерционность, также значимая зависимость фототока от наружной температуры.

Фоторезисторы употребляют в разных измерительных Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7, контрольных и управляющих устройствах.

Фотодиоды и фототранзисторы устроены так же, как и обыденные полупроводниковые приборы, но их конструкция предугадывает возможность попадания светового потока на монокристалл полупроводника.

Фотодиод (рис. 3.22, п) может Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 работать в 2-ух разных режимах – фотопреобразования и фотогенерации. В режиме фотогенерации в цепь прибора врубается нагрузка с сопротивлением RH.

В режиме фотопреобразования в цепь фотодиода врубается источник тока в закрывающем направлении Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7. Если световое облучение отсутствует, то через нагрузку протекает малозначительный оборотный ток перехода – темновой ток. При облучении p-n перехода светом количество носителей, в том числе и неосновных, растет. Соответственно вырастает и ток в нагрузке. Фотодиод Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 отличается от фоторезистора тем, что работает только при одной полярности батарей, т.е. является вентильным фоторезистором. Чувствительность фотодиодов на порядок выше, чем фоторезисторов.

Фототранзистор, как и обыденный транзистор, имеет два Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 перехода и три электронных вывода, но вывод от базы обычно не употребляется. При подключении меж эмиттером и коллектором напряжения обычной полярности, если световое облучение отсутствует, через прибор протекает ток, равный оборотному току Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 коллекторного перехода. Если облучать базу светом, то коллекторный ток существенно усиливается. Таким макаром, возникшие в базе электроны делают функции управляющего тока базы в схеме с общим эмиттером, потому коллекторный ток по сопоставлению Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 с током база-коллектор фотодиода возрастает.

Чувствительность фототранзисторов по сопоставлению с фотодиодами выше на один-два порядка. Фототранзисторы употребляются обычно в качестве вентильных фоторезисторов. Их условное обозначение отличается от обозначения обыденных транзисторов Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 наличием 2-ух стрелок, изображающих световой поток (рис. 3.22, р).

Светодиод – простой электролюминесцентный (электросветовой) прибор (рис. 3.22, с). Светодиод состоит из полупроводникового диодика на базе фосфида галлия с дисковыми электродами, помещенного в железный корпус с прозрачной крышкой Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 из селенового стекла. При прохождении прямого тока появляется свечение зеленоватого цвета. Светодиод может работать и на переменном токе. При всем этом вспышки происходят в моменты, когда переменное напряжение по знаку является Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 пропускным. Главные характеристики светодиода – допустимый прямой ток, также частотный диапазон излучения (интенсивность излучения на разных частотах).

Светодиоды употребляются в качестве разных световых индикаторов, также как излучатели инфракрасных волн.

В современной радиоэлектронике обширно используют Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 оптоэлектронные пары (оптроны) – приборы, в каких употребляются электрооптические и фотоэлектрические явления. Оптрон представляет собой заключенные в общий корпус и не связанные электрически светоизлучающий и световоспринимающий элементы. На рис. 3.22, т изображены электронные Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 схемы оптронов – резисторного (U1), диодного (U2), транзисторного (U3) и тиристорного (U4). Во всех 4 оптронах излучающим свет элементом служит светодиод. Оптрон может употребляться как переключающее устройство. Если, к примеру, в диодном оптроне Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 управляющий сигнал подавать в пропускном направлении на светодиод, а фотодиод включить в прямом направлении в цепь нагрузки, то эта цепь будет врубаться лучом света лишь на время прохождения управляющего сигнала через светодиод. Кроме Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 главного режима оптроны могут употребляться и как регулирующие элементы с плавным конфигурацией тока в управляемой цепи.

Тиристорные оптроны по сопоставлению с фоторезисторными и фотодиодными владеют намного большей нагрузочной способностью и могут работать при Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 завышенном рабочем напряжении.

На рис. 3.22, у показаны внешний облик и условное обозначение полупроводникового цифрового индикатора (HG1). Стилизованные числа от 0 до 9 высвечиваются при подаче напряжения на соответственный электрод индикатора.

Условные обозначения полупроводниковых устройств Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 складываются из 5 частей. 1-ый элемент (буковка либо цифра) значит начальный материал (Г либо 1 – германий, К либо 2 – кремний). 2-ой элемент значит класс либо группу устройств: Т – транзисторы, Д – диоды, В Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 – варикапы, Ц – выпрямительные столбы и блоки. Полевые транзисторы обозначают буковкой П. 3-ий элемент (цифра) значит предназначение и группу мощностей полупроводникового прибора, 4-ый элемент – двухзначное число от 01 до 99 – значит порядковый номер конструкторской разработки. И, в конце Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 концов, 5-ый элемент – это буковкы А, Б, В и т.д., означающие разновидности устройств по характеристикам.

Разглядим сейчас маркировку SMD-транзисторов в корпусах с числом выводов более 2-ух. SMD Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7-компоненты очень малы, чтоб на их можно было нанести полную информацию о типе прибора. Заместо этого производители компонент употребляют произвольную систему кодировки с ординарными двух- либо трехсимвольными идентификационными кодами.




Рис. 3.23. Типы корпусов SMD-транзисторов


Идентификация Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 типа SMD-приборов разных производителей по их коду довольно трудозатратная задачка, связанная с необходимостью просмотра огромного объема технической документации. SMD-транзисторы выпускаются в корпусах SOT-23/89/143/223/323/343/363, TO-252/262/263, SC-63 (рис. 3.23).


^ 3.7. Интегральные микросхемы


Обширное Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 внедрение полупроводниковых устройств позволило, благодаря их малым по сопоставлению с электровакуумными устройствами размерам и энергопотреблению, уменьшить размеры электрических цепей. Последующим шагом в миниатюризации электрических устройств стали интегральные микросхемы, содержащие целые узлы и Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 устройства.

Интегральная микросхема (ИС) либо просто микросхема – это законченное маленькое электрическое устройство, состоящее из активных и пассивных компонент, «плотно упакованных» и включенных спецефическим образом. ИС делаются по таким же технологиям и из Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 таких же материалов, что применяются при производстве транзисторов и других компонент.

Более явное преимущество ИС – малые размеры, вследствие чего они потребляют наименьшую мощность и работают с более высочайшей скоростью, чем стандартные транзисторные Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 цепи.

ИС более надежны, чем конкретно связанные транзисторные цепи, так как в их все внутренние составляющие соединены способами полупроводниковых технологий и сформированы сразу, что исключает ошибки. После того как ИС сформирована, она перед конечной Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 сборкой проходит предварительное тестирование.

Создание многих типов ИС унифицировано, что приводит к существенному понижению их цены. Внедрение ИС уменьшает количество деталей, нужных для конструирования аппаратуры, по этому понижаются расходы производителя и Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 стоимость устройства.

Но ИС не могут работать при огромных значениях токов и напряжений, потому что огромные токи делают лишнее тепло, повреждающее устройство, а высочайшие напряжения пробивают изоляцию меж разными внутренними компонентами Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7. Большая часть ИС являются маломощными устройствами, питающимися напряжением от 3 до 15 В и потребляющими ток, измеряющийся миллиамперами. В итоге потребляемая ими мощность составляет наименее 1 Вт.

ИС не подлежат ремонту. Это обосновано тем, что их Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 внутренние составляющие не могут быть разделены друг от друга. Как следует, неувязка ремонта аппаратуры решается подменой микросхемы, а не подменой отдельных компонент. Преимущество этого «недостатка» заключается в том, что он очень упрощает Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 эксплуатацию систем высочайшей трудности и уменьшает время, нужное персоналу для сервисного обслуживания техники.

Если взвесить все за и против, то достоинства использования ИС в с лихвой перевесят их недочеты, а конкретно Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7: уменьшаются размеры, масса и цена электрического оборудования и сразу возрастает его надежность. По мере усложнения микросхем они делают все более широкий круг операций.

ИС классифицируются согласно методу их производства: цельные, тонкопленочные, толстопленочные и гибридные (на Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 данный момент практически не употребляются).

Изготовка ИС цельным методом начинается с круглой кремниевой пластинки поперечником 8-10 см и шириной около 0,25 мм. Эта пластинка служит основой (подложкой), на которой формируются ИС. На одной подложке Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 зависимо от ее размера сразу формируется до нескольких сотен ИС (их еще именуют «кристаллами» либо «чипами»), при этом они все, обычно, схожего размера и типа и содержат однообразное количество схожих компонент.

После Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 производства ИС тестируются конкретно на подложке, а потом подложка разрезается на отдельные «чипы». Любой из их представляет собой одну ИС, содержащую все составляющие и соединения меж ними. «Чип», который проходит тест контроля Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 свойства, устанавливается в корпус. Невзирая на то, что сразу изготовляется огромное количество ИС, далековато не все из их оказываются применимыми для использования. Эффективность производства охарактеризовывают таким параметром как выход пригодных – наибольшее Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 число применимых ИС по сопоставлению с полным числом сделанных.

Тонкопленочные ИС формируются на поверхности изолирующей подложки из стекла либо керамики размером около 5 см2. Составляющие (резисторы и конденсаторы) создаются при помощи очень тонких Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 пленок металлов и окислов, наносимых на подложку. После чего для соединения компонент наносятся тонкие полосы металла. Диоды и транзисторы формируются как отдельные полупроводниковые устройства и подсоединяются в соответственных местах подложки. Резисторы Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 формируются нанесением на поверхность подложки тантала либо нихрома в виде узкой пленки шириной 0,0025 мм. Величина сопротивления резистора определяется длиной, шириной и шириной каждой полосы. При помощи этого процесса можно сделать резистор с Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 точностью ±0,1%. Проводники делаются из металлов с низким сопротивлением, таких как золото, платина либо алюминий.

Тонкопленочные конденсаторы состоят из 2-ух тонких слоев металла, разбитых узким слоем диэлектрика. Сначала на подложку наносится железный Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 слой, после этого на него наносится слой окисла, образующий диэлектрическую прокладку конденсатора. В качестве изолирующего материала для диэлектрической прокладки применяется окись тантала, кремния либо алюминия. Высшая часть конденсатора создается из золота, тантала либо платины, нанесенных Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 на диэлектрик. Приобретенное значение емкости конденсатора находится в зависимости от площади электродов, также от толщины и типа диэлектрика.

«Чипы» диодов и транзисторов формируются при помощи цельной техники и инсталлируются Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 на подложке, а потом электрически соединяются с тонкопленочной цепью при помощи очень тонких проводников.

Материалы, применяемые для компонент и проводников, наносятся на подложку способом испарения в вакууме либо способом напыления. В процессе Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 испарения в вакууме материал добивается за ранее нагретой подложки, помещенной в вакуум, и конденсируются на ней, образуя узкую пленку.

Процесс напыления происходит в газонаполненной камере при высочайшем напряжении, под действием которого газ Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 ионизируется и материал, который должен быть напылен, бомбардируется ионами. Ионы выбивают из напыляемого материала атомы, которые потом дрейфуют по направлению к подложке, где и осаждаются в виде узкой пленки. Для формирования пленки Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 подходящей формы и в подходящем месте употребляется маска. Другой способ состоит в покрытии всей подложки вполне и вырезании либо вытравливании ненадобных участков.

При толстопленочном способе резисторы, конденсаторы и проводники формируются на подложке способом трафаретной печати Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7: над подложкой располагается экран из узкой проволоки и особые токопроводящие чернила делают через него отпечаток. Экран при всем этом играет роль маски. Для затвердевания чернил подложка и чернила после чего греются до Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 температуры выше 600°С.

Толстопленочные конденсаторы имеют маленькие значения емкости (порядка нескольких пикофарад). В тех случаях, когда требуются огромные значения емкости, употребляются дискретные конденсаторы. Толстопленочные составляющие имеют толщину 0,025 мм и похожи на Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 надлежащие дискретные составляющие.

ИС упаковываются в корпуса (рис. 3.24, а), рассчитанные на защиту их от воды, пыли и других загрязнений. Более пользующимся популярностью является корпус с двурядным расположением выводов (DIP). Он делается нескольких размеров Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 в согласовании с ИС разных размеров: малой, средней, большой (БИС) и сверхбольшой (СБИС) степени интеграции. Корпуса делаются или из керамики, или из пластмассы. Пластмассовые корпуса дешевле и применимы для большинства применений Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 при рабочей температуре 0…+70°С. Микросхемы в глиняних корпусах дороже, но обеспечивают наилучшую защиту от воды и загрязнений. Не считая того, они работают в более широком спектре температур (–55…+125°С).



Рис. 3.24. Интегральные микросхемы (ИС) и Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 их условные обозначения


Плоские корпуса с однорядным расположением выводов меньше и тоньше, чем корпуса типа DIP, и употребляются в случаях, когда место ограничено. Они изготовляются из металла либо керамики и работают в Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 спектре температур –55…+125°С.

После того как ИС заключена в корпус, ее вновь тестируют, чтоб проверить, удовлетворяет ли она всем требуемым характеристикам. Тестирование проводится в широком спектре температур.

Обычно ИС разрабатываются сериями, созданными Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 для усилительной, радиоприемной, телевизионной и другой аппаратуры. Российскее обозначение аналоговых ИС состоит из букв DA и порядкового номера микросхемы, а цифровых – из букв DD и номера, и помещается рядом с Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 условным графическим обозначением микросхемы (рис. 3.24, б). Номера выводов обозначают цифрами.

Маркировка российских ИС состоит из 5 частей:

- 1-ый – буковкы К либо КР. Обычно, буковка К присваивается микросхемам в металлокерамическом корпусе, а сочетание букв КР Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 – в пластмассовом;

- 2-ой – числа от 000 до 999 либо от 00 до 99, означающие порядковый номер серии, при этом 1-ая цифра 1, 5, 6, 7 в серии обозначает полупроводниковую микросхему, а 2, 4, 8 – гибридную;

- 3-ий – две буковкы, обозначающие функциональное предназначение ИС Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 данной серии, к примеру, ЕН – стабилизатор напряжения, УД – дифференциальный усилитель, ИД – дешифратор и т.п.;

- 4-ый – цифра, обозначающая номер микросхемы в серии;

- 5-ый – буковка, обозначающая особенности внедрения ИС, к примеру, ее напряжение Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 питания.

Маркировка забугорных ИС состоит из одно-, двух- либо трехбуквенного префикса, указывающего фирму-изготовителя микросхемы, цифробуквенного обозначения типа прибора и суффикса, уточняющего модификацию прибора, условия его эксплуатации и тип корпуса.

К примеру, TA8777BN – ИС Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 конторы TOSHIBA, являющаяся тумблером видео- и звуковых сигналов; CXA1213BS – микросхема конторы SONY, которая может быть применена в качестве видеопроцессора, декодера цветности систем PAL/NTSC, задающего генератора строк и Пособие написано с использованием многолетнего опыта преподавания на курсах повышения квалификации и переподготовки специалистов в мипк мгту им. Н. Э. Баумана. Предисловие - страница 7 кадров.



posledstviya-povisheniya-nalogov.html
posledstviya-priobreteniya-prisposoblenij.html
posledstviya-promishlennogo-perevorota.html